詞條
詞條說明
從功能上來說,IGBT就是一個(gè)電路開關(guān),優(yōu)點(diǎn)就是用電壓控制,飽和壓降小,耐壓高。用在電壓幾十到幾百伏量級、電流幾十到幾百安量級的強(qiáng)電上的。而且IGBT不用機(jī)械按鈕,它是由計(jì)算機(jī)控制的。所以有了IGBT這種開關(guān),就可以設(shè)計(jì)出一類電路,通過計(jì)算機(jī)控制IGBT,把電源側(cè)的交流電變成給定電壓的直流電,或是把各種電變成所需頻率的交流電,給負(fù)載使用。這類電路統(tǒng)稱變換器。IGBT(Insulated Gate
萬用表檢測普通二極管的襲極性與好壞。檢測原理:根據(jù)二極管的單向?qū)щ娦赃@一特點(diǎn)性能良好的二極管,其正向電阻小,反向電阻大;這兩個(gè)數(shù)值相差越大越好。若相差不多說明二極管的性能不好或已經(jīng)損壞。測量時(shí),選用萬用表的“歐姆”擋。一般用R x100或R xlk擋,而不用Rx1或R x10k擋。因?yàn)镽xl擋的電流太大,容易燒壞二極管,R xlok擋的內(nèi)電源電壓太大,易擊穿二極管.測量方法:將兩表棒分別接在二極管
方法一:測量極間電阻法將萬用表置于皮R×1k檔,如果測得T2-T1、T2-G之間的正反向電阻接近∞,而萬用表置于R×10檔測得T1-G之間的正反向電阻在幾十歐姆??時(shí),就說明雙向可控硅是好的,可以使用;反之:1、若測得T2-T1,、T2-G之間的正反向電阻較小甚或等于零.而Tl-G之間的正反向電阻很小或接近于零時(shí).就說明雙向可控硅的性能變壞或擊穿損壞。不能使用;2、如果測得T1
可控硅調(diào)速是用改變可控硅導(dǎo)通角的方法來改變電機(jī)端電壓的波形,從而改變電機(jī)端電壓的有效值,達(dá)到調(diào)速的目的。當(dāng)可控硅導(dǎo)通角=180時(shí),電機(jī)端電壓波形為正弦波,即全導(dǎo)通狀態(tài);當(dāng)可控硅導(dǎo)通角<180時(shí),即非全導(dǎo)通狀態(tài),電壓有效值減小;導(dǎo)通角越小,導(dǎo)通狀態(tài)越少,則電壓有效值越小,所產(chǎn)生的磁場越小,則電機(jī)的轉(zhuǎn)速越低。由以上的分析可知,采用可控硅調(diào)速其電機(jī)的轉(zhuǎn)速可連續(xù)調(diào)節(jié)。CPU⑥腳輸出的驅(qū)動信號經(jīng)Q5放
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