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詞條說明
方法一:測量極間電阻法將萬用表置于皮R×1k檔,如果測得T2-T1、T2-G之間的正反向電阻接近∞,而萬用表置于R×10檔測得T1-G之間的正反向電阻在幾十歐姆??時,就說明雙向可控硅是好的,可以使用;反之:1、若測得T2-T1,、T2-G之間的正反向電阻較小甚或等于零.而Tl-G之間的正反向電阻很小或接近于零時.就說明雙向可控硅的性能變壞或擊穿損壞。不能使用;2、如果測得T1
1. 可控硅的特性。 可控硅分單向可控硅、雙向可控硅。單向可控硅有陽極A、陰極K、控制極G三個引出腳。雙向可控硅有陽極A1(T1),第二陽極A2(T2)、控制極G三個引出腳。 只有當單向可控硅陽極A與陰極K之間加有正向電壓,同時控制極G與陰極間加上所需的正向觸發(fā)電壓時,方可被觸發(fā)導通。此時A、K間呈低阻導通狀態(tài),陽極A與陰極K間壓降約1V。單向可控硅導通后,控制器G即使失去觸發(fā)電壓,只要陽極A和陰
igbt功率模塊是以絕緣柵雙極型晶體管(igbt)構成的功率模塊
由于igbt模塊為mosfet結構,igbt的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實現電隔離,具有出色的器件性能。廣泛應用于伺服電機,變頻器,變頻家電等領域。?igbt是先進的第三代功率模塊,工作頻率1-20khz,主要應用在變頻器的主回路逆變器及一切逆變電路,即dc/ac變換中。例電動汽車、伺服控制器、ups、開關電源、斬波電源、無軌電車等。問世迄今有十年多歷史,幾乎己替代一切其它功率器件,例s
4500V/6500V IGBT模塊產品額定電流為250A至1200A
4500V/6500V IGBT模塊產品支持不同拓撲結構的IGBT模塊,額定電流為250A至1200A?4500V/6500V IGBT模塊產品采用新型外殼封裝的大功率IGBT模塊設計旨在覆蓋3.3kV到6.5kV的全電壓范圍。新型封裝的產品預計將主要應用在工業(yè)級驅動、牽引、可再生能源和電力傳輸等領域。IHM / IHV系列涵蓋了所有可能的逆變器功率大小,支持單開關模塊、半橋模塊、斬波器
公司名: 蘇州徳昇锘電子科技有限公司
聯系人: 王冠豪
電 話: 0512-57406365
手 機: 17351195159
微 信: 17351195159
地 址: 江蘇蘇州昆山市開發(fā)區(qū)朝陽東路55號中偉汽配物流市場6幢809室
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網 址: szdsndz.b2b168.com
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