什么是IGBT功率模塊

時(shí)間：2020-11-24作者：蘇州徳昇锘電子科技有限公司瀏覽：404

蘇州徳昇锘電子科技有限公司專(zhuān)注于可控硅,晶閘管,二極管等

• 詞條

  詞條說(shuō)明

• 可控硅調(diào)速原理

  可控硅調(diào)速是用改變可控硅導(dǎo)通角的方法來(lái)改變電機(jī)端電壓的波形,從而改變電機(jī)端電壓的有效值,達(dá)到調(diào)速的目的。當(dāng)可控硅導(dǎo)通角=180時(shí),電機(jī)端電壓波形為正弦波,即全導(dǎo)通狀態(tài);當(dāng)可控硅導(dǎo)通角<180時(shí),即非全導(dǎo)通狀態(tài),電壓有效值減小;導(dǎo)通角越小,導(dǎo)通狀態(tài)越少,則電壓有效值越小,所產(chǎn)生的磁場(chǎng)越小,則電機(jī)的轉(zhuǎn)速越低。由以上的分析可知,采用可控硅調(diào)速其電機(jī)的轉(zhuǎn)速可連續(xù)調(diào)節(jié)。CPU⑥腳輸出的驅(qū)動(dòng)信號(hào)經(jīng)Q5放

• 可控硅的好壞如何判斷？

  方法一：測(cè)量極間電阻法將萬(wàn)用表置于皮R×1k檔，如果測(cè)得T2－T1、T2－G之間的正反向電阻接近∞，而萬(wàn)用表置于R×10檔測(cè)得T1－G之間的正反向電阻在幾十歐姆??時(shí)，就說(shuō)明雙向可控硅是好的，可以使用；反之：1、若測(cè)得T2－T1，、T2－G之間的正反向電阻較小甚或等于零．而Tl－G之間的正反向電阻很小或接近于零時(shí)．就說(shuō)明雙向可控硅的性能變壞或擊穿損壞。不能使用；2、如果測(cè)得T1

• 蘇州徳昇锘科技有限公司

  蘇州徳昇锘科技有限公司是一家從事電力半導(dǎo)體器件和電子元器件的分銷(xiāo)商，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用到民用，工業(yè)，通信，等電子產(chǎn)品領(lǐng)域中。專(zhuān)注為電焊機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、逆變電源、電力電源、不間斷電源、通信電源等能量控制與變換產(chǎn)品提供核心的半導(dǎo)體功率器件。我們擁有穩(wěn)固的供貨渠道，百分之百的質(zhì)量保證，競(jìng)爭(zhēng)力強(qiáng)的價(jià)格，快捷的交貨和完善周到的服務(wù)。代理經(jīng)營(yíng)世界各國(guó)公司生產(chǎn)的電力電子器件，主要品牌括:Infineon英飛凌、

• 可控硅的作用介紹及檢測(cè)方法

  1. 可控硅的特性。 可控硅分單向可控硅、雙向可控硅。單向可控硅有陽(yáng)極A、陰極K、控制極G三個(gè)引出腳。雙向可控硅有陽(yáng)極A1（T1），第二陽(yáng)極A2（T2）、控制極G三個(gè)引出腳。 只有當(dāng)單向可控硅陽(yáng)極A與陰極K之間加有正向電壓，同時(shí)控制極G與陰極間加上所需的正向觸發(fā)電壓時(shí)，方可被觸發(fā)導(dǎo)通。此時(shí)A、K間呈低阻導(dǎo)通狀態(tài)，陽(yáng)極A與陰極K間壓降約1V。單向可控硅導(dǎo)通后，控制器G即使失去觸發(fā)電壓，只要陽(yáng)極A和陰