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詞條說明
點接觸型二極管點接觸型二極管的PN結(jié)接觸面積小,不能通過較大的正向電流和承受較高的反向電壓,但它的高頻性能好,適宜在高頻檢波電路和開關電路中使用。面接觸型二極管面接觸型二極管的PN結(jié)接觸面積大,可以通過較大的電流,也能承受較高的反向電壓,適宜在整流電路中使用。平面型二極管平面型二極管在脈沖數(shù)字電路中作開關管使用時PN結(jié)面積小,用于大功率整流時PN結(jié)面積較大。穩(wěn)壓管穩(wěn)壓管是一種特殊的面接觸型半導體硅
全新300HF120P 300U60A 300UR60A美國vishay旋轉(zhuǎn)二極管
全新300HF120P 300U60A 300UR60A美國vishay旋轉(zhuǎn)二極管昆山新東佳電子主要銷售品牌包括:英飛凌、歐派克(Infineon)、日本三社、IXYS艾賽斯、西門康、西碼、富士、三菱、新電源、東芝、IR、摩托羅拉、西門子、英達、三肯、三洋、APT、ST ABB、CDE等國外**公司生產(chǎn)的IGBT、可控硅、晶閘管、GTR、IPM、PIM、快恢復二極管、整流橋、電解電容、驅(qū)動電路、M
IGBT原理方法IGBT是將強電流、高壓應用和快速終端設備用垂直功率MOSFET的自然進化。由于實現(xiàn)一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道,而這個通道卻具有很高的電阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征,IGBT消除了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點。雖然較新一代功率MOSFET 器件大幅度改進了RDS(on)特性,但是在高電平時,功率導通損耗仍然要比IGBT 技術(shù)高
在中頻爐中整流側(cè)關斷時間采用KP-60微秒以內(nèi),逆變側(cè)關短時間采用KK-30微秒以內(nèi)這也是KP管與KK管的主要區(qū)別進口晶閘管T在工作過程中,它的陽極A和陰極K與電源和負載連接,組成晶閘管的主電路,晶閘管的門較G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接,組成晶閘管的控制電路。 晶閘管的工作條件: 1. 晶閘管承受反向陽極電壓時,不管門較承受和種電壓,晶閘管都處于關短狀態(tài)。 2. 晶閘管承受正向陽極電壓時,僅在
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