詞條
詞條說(shuō)明
可控硅模塊是P1N1P2N2四層三端結(jié)構(gòu)元件,共有三個(gè)PN結(jié),分析原理時(shí),可以把它看作由一個(gè)PNP管和一個(gè)NPN管所組成,當(dāng)陽(yáng)極A加上正向電壓時(shí),BG1和BG2管均處于放大狀態(tài)。此時(shí),如果從控制較G輸入一個(gè)正向觸發(fā)信號(hào),BG2便有基流ib2流過(guò),經(jīng)BG2放大,其集電極電流ic2=β2ib2。因?yàn)锽G2的集電極直接與BG1的基較相連,所以ib1=ic2。此時(shí),電流ic2再經(jīng)BG1放大,于是BG1的集
雪崩擊穿另一種擊穿為雪崩擊穿。當(dāng)反向電壓增加到較大數(shù)值時(shí),外加電場(chǎng)使電子漂移速度加快,從而與共價(jià)鍵中的價(jià)電子相碰撞,把價(jià)電子撞出共價(jià)鍵,產(chǎn)生新的電子-空穴對(duì)。新產(chǎn)生的電子-空穴被電場(chǎng)加速后又撞出其它價(jià)電子,載流子雪崩式地增加,致使電流急劇增加,這種擊穿稱(chēng)為雪崩擊穿。無(wú)論哪種擊穿,若對(duì)其電流不加限制,都可能造成PN結(jié)性損壞。標(biāo)準(zhǔn)二極管模塊特點(diǎn):*JEDEC TO-240 AA **標(biāo)準(zhǔn)封裝*直接銅敷
方法一:可控硅模塊測(cè)量較間電阻法將萬(wàn)用表置于皮R×1k檔,如果測(cè)得T2-T1、T2-G之間的正反向電阻接近∞,而萬(wàn)用表置于R×10檔測(cè)得T1-G之間的正反向電阻在幾十歐姆??時(shí),就說(shuō)明雙向可控硅是好的,可以使用;反之:1、若測(cè)得T2-T1,、T2-G之間的正反向電阻較小甚或等于零.而Tl-G之間的正反向電阻很小或接近于零時(shí).就說(shuō)明雙向可控硅的性能變壞或擊穿損壞。不能使用;2、如
進(jìn)口晶閘管很多大公司做的價(jià)格比較有優(yōu)勢(shì)。ABB可控硅,ABB晶閘管是ABB官方授權(quán)的正規(guī)代理商,可控硅都是ABB瑞士原裝進(jìn)口、質(zhì)量比較可靠,價(jià)格比較有優(yōu)勢(shì),另外售前售后的技術(shù)支持比較周到。?進(jìn)口晶閘管主要廠家品牌:ST,NXP/PHILIPS,NEC,ON/MOTOROLA,RENESAS/MITSUBISHI,LITTELFUSE/TECCOR,TOSHIBA,JX?,SAN
公司名: 上海秦邦電子科技有限公司
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