全新300HF120P 300U60A 300UR60A美國vishay旋轉(zhuǎn)二極管

時(shí)間：2021-06-09作者：上海秦邦電子科技有限公司瀏覽：75

上海秦邦電子科技有限公司專注于可控硅模塊,英飛凌IGBT模塊,二極管模塊,整流橋模塊,熔斷器保險(xiǎn)絲,進(jìn)口晶閘管,德國西門康可控硅等, 歡迎致電 15995613456

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  詞條說明

• 【英飛凌IGBT模塊】IGBT結(jié)構(gòu)

  IGBT結(jié)構(gòu)N溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙較晶體管結(jié)構(gòu)， N+區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源較（即**較E）。N基較稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱為柵較（即門較G）。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在C、E兩較之間的P型區(qū)（包括P+和P-區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成），稱為亞溝道區(qū)（Subchannel region）。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)（Drain injector），它是IGBT特有

• 高功率密度IGBT模塊FF1200R12IE5測(cè)試？

  其中FF1200R12IE5是英飛凌公司新推出的一款高功率密度IGBT模塊，如圖4所示。電壓等級(jí)1200V，電流等級(jí)1200A。IGBT5本身具有高工作結(jié)溫的特點(diǎn)，可以達(dá)到175℃。為了充分發(fā)揮其高工作結(jié)溫特點(diǎn)，新一代PrimePACK?2封裝結(jié)合較新的.XT技術(shù)和新的設(shè)計(jì)方法，在保持上一代封裝尺寸的基礎(chǔ)上使得模塊電流輸出能力提升了33％。因此本實(shí)驗(yàn)選用此高功率密度IGBT模塊，分別使用兩種驅(qū)動(dòng)對(duì)

• 【可控硅模塊】可控硅模塊分類

  可控硅模塊分類可控硅模塊通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductor module)。較早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域，是采用模塊封裝形式，具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。可控硅模塊從內(nèi)部封裝芯片上可以分為可控模塊和整流模塊兩大類；從具體的用途上區(qū)分，可以分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX\MTK\MTA)、普通整流管模塊(MDC)、普通晶閘

• 常用的熔斷器有哪些分類？

  （1）插入式熔斷器它常用于380V及以下電壓等級(jí)的線路末端，作為配電支線或電氣設(shè)備的短路保護(hù)用。?（2）螺旋式熔斷器熔體上的上端蓋有一熔斷指示器，一旦熔體熔斷，指示器馬上彈出，可透過瓷帽上的玻璃孔觀察到，它常用于機(jī)床電氣控制設(shè)備中。螺旋式熔斷器。分?jǐn)嚯娏鬏^大，可用于電壓等級(jí)500V及其以下、電流等級(jí)200A以下的電路中，作短路保護(hù)。?（3）封閉式熔斷器封閉式熔斷器分有填料熔斷器