詞條
詞條說(shuō)明
失效分析fib 1.IC芯片電路修改 用FIB對(duì)芯片電路進(jìn)行物理修改可使芯片設(shè)計(jì)者對(duì)芯片問(wèn)題處作針對(duì)性的測(cè)試,以便較快較準(zhǔn)確的驗(yàn)證設(shè)計(jì)方案。 若芯片部份區(qū)域有問(wèn)題,可通過(guò)FIB對(duì)此區(qū)域隔離或改正此區(qū)域功能,以便找到問(wèn)題的癥結(jié)。 FIB還能在較終產(chǎn)品量產(chǎn)之前提供部分樣片和工程片,利用這些樣片能加速終端產(chǎn)品的上市時(shí)間。利用FIB修改芯片可以減少不成功的設(shè)計(jì)方案修改次數(shù),縮短研發(fā)時(shí)間和周期。 2.Cro
芯片失效分析檢測(cè)方法匯總 失效分析 趙工 1 、C-SAM(超聲波掃描顯微鏡),無(wú)損檢查:1.材料內(nèi)部的晶格結(jié)構(gòu),雜質(zhì)顆粒.夾雜物.沉淀物.2. 內(nèi)部裂紋. 3.分層缺陷.4.空洞,氣泡,空隙等. 德國(guó) 2 、X-Ray(這兩者是芯片發(fā)生失效后首先使用的非破壞性分析手段),德國(guó)Fein 微焦點(diǎn)Xray用途:半導(dǎo)體BGA,線路板等內(nèi)部位移的分析 ;利于判別空焊,虛焊等BGA焊接缺陷. 參數(shù):標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)
儀準(zhǔn)科技*生產(chǎn)的微光顯微鏡,失效分析設(shè)備,失效分析實(shí)驗(yàn)室建設(shè) 就半導(dǎo)體元器件故障失效分析而言,微光顯微鏡EMMI是一種相當(dāng)有用且效率較高的分析工具。主要偵測(cè)IC內(nèi)部所放出光子。在IC元件中,EHP(Electron Hole Pairs) Recombination會(huì)放出光子(Photon)。 舉例說(shuō)明:在P-N 結(jié)加偏壓,此時(shí)N阱的電子很*擴(kuò)散到P阱,而P的空穴也*擴(kuò)散至N然後與P端的
失效分析(FA)是一門(mén)發(fā)展中的新興學(xué)科,近年開(kāi)始從**向普通企業(yè)普及。它一般根據(jù)失效模式和現(xiàn)象,通過(guò)分析和驗(yàn)證,模擬重現(xiàn)失效的現(xiàn)象,找出失效的原因,挖掘出失效的機(jī)理的活動(dòng)。在提高產(chǎn)品質(zhì)量,技術(shù)開(kāi)發(fā)、改進(jìn),產(chǎn)品修復(fù)及仲裁失效事故等方面具有很強(qiáng)的實(shí)際意義。其方法分為有損分析,無(wú)損分析,物理分析,化學(xué)分析等 失效分析的意義:分析機(jī)械零器件失效原因,為事故責(zé)任認(rèn)定、偵破刑事犯罪案件、裁定賠償責(zé)任、保險(xiǎn)業(yè)務(wù)
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半導(dǎo)體探針臺(tái)手動(dòng)探針臺(tái)電性測(cè)試探針臺(tái)probe station失效分析設(shè)備wafer測(cè)試芯片測(cè)試設(shè)備
激光開(kāi)封機(jī)laser decap開(kāi)蓋開(kāi)封開(kāi)帽ic開(kāi)封去封裝
開(kāi)短路測(cè)試儀IV自動(dòng)取現(xiàn)量測(cè)儀 芯片管腳測(cè)試 iv曲線
聚焦離子束顯微鏡FIB線路修改切線連線異常分析失效分析
超聲波掃描顯微鏡CSAN無(wú)損檢測(cè)空洞分層異物測(cè)試SAT失效分析
電鏡SEM電子顯微鏡表面分析金屬成分分析失效分析設(shè)備高倍率顯微鏡
EMMI微光顯微鏡紅外顯微鏡漏電斷路定位芯片異常分析光**顯微鏡
IV曲線測(cè)試開(kāi)短路測(cè)試管腳電性測(cè)試IV自動(dòng)曲線量測(cè)儀
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