FIB技術(shù)在失效中應(yīng)用

時(shí)間：2020-03-23作者：儀準(zhǔn)科技（北京）有限公司瀏覽：99

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  失效分析常用方法匯總 芯片在設(shè)計(jì)生產(chǎn)使用各環(huán)節(jié)都有可能出現(xiàn)失效，失效分析伴隨芯片全流程。 這里根據(jù)北軟檢測(cè)失效分析實(shí)驗(yàn)室經(jīng)驗(yàn)，為大家總結(jié)了失效分析方法和分析流程，供大家參考。 一、C-SAM（超聲波掃描顯微鏡)，屬于無(wú)損檢查: 檢測(cè)內(nèi)容包含： 1.材料內(nèi)部的晶格結(jié)構(gòu)、雜質(zhì)顆粒、夾雜物、沉淀物 2.內(nèi)部裂紋 3.分層缺陷 4.空洞、氣泡、空隙等。 二、 X－Ray（X光檢測(cè)），屬于無(wú)損檢查: X-R

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  芯片開(kāi)封機(jī)分用化學(xué)腐蝕和激光開(kāi)封兩種，區(qū)別是激光開(kāi)封比較簡(jiǎn)單，而且開(kāi)封銅線邦定的效果好 開(kāi)封指去除ic封膠，同時(shí)保持芯片功能的完整無(wú)損, 保持 die, bond pads, bond wires乃至lead-frame不受損傷, 為下一步芯片失效分析實(shí)驗(yàn)做準(zhǔn)備。也稱(chēng)為開(kāi)蓋，開(kāi)帽,去封范圍：普通封裝COB、BGA 陶瓷、金屬等其它特殊封裝。 芯片IC半導(dǎo)體元器件開(kāi)封機(jī)decap酸開(kāi)封機(jī)自動(dòng)開(kāi)封機(jī)激

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  聚焦離子束，F(xiàn)ocused Ion beam 服務(wù)介紹：FIB（聚焦離子束，F(xiàn)ocused Ion beam）是將液態(tài)金屬離子源產(chǎn)生的離子束經(jīng)過(guò)離子槍加速，聚焦后照射于樣品表面產(chǎn)生二次電子信號(hào)**電子像，此功能與SEM（掃描電子顯微鏡）相似，或用強(qiáng)電流離子束對(duì)表面原子進(jìn)行剝離，以完成微、納米級(jí)表面形貌加工。 服務(wù)范圍：工業(yè)和理論材料研究，半導(dǎo)體，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，自然資源等領(lǐng)域 服務(wù)內(nèi)容：1.芯片電路修改