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半導體芯片失效分析 芯片在設計生產(chǎn)使用各環(huán)節(jié)都有可能出現(xiàn)失效,失效分析伴隨芯片全流程。 這里根據(jù)北軟檢測失效分析實驗室經(jīng)驗,為大家總結了失效分析方法和分析流程,供大家參考。 一、C-SAM(超聲波掃描顯微鏡),屬于無損檢查: 檢測內容包含: 1.材料內部的晶格結構、雜質顆粒、夾雜物、沉淀物 2.內部裂紋 3.分層缺陷 4.空洞、氣泡、空隙等。 二、 X-Ray(X光檢測),屬于無損檢查: X-Ra
《晶柱成長制程》 硅晶柱的長成,首先需要將純度相當高的硅礦放入熔爐中,并加入預先設定好的金屬物質,使產(chǎn)生出來的硅晶柱擁有要求的電性特質,接著需要將所有物質融化后再長成單晶的硅晶柱,以下將對所有晶柱長成制程做介紹。 長晶主要程序︰ 融化(MeltDown) 此過程是將置放于石英坩鍋內的塊狀復晶硅加熱制**攝氏1420度的融化溫度之上,此階段中較重要的參數(shù)為坩鍋的位置與熱量的供應,若使用較大的功率來
失效分析的作用 1、失效分析是要找出失效原因,采取有效措施,使同類失效事故不再重復發(fā)生,可避免較大的經(jīng)濟損失和人員傷亡; 2、促進科學技術的發(fā)展 a. 19世紀工業(yè)革命,蒸汽機的使用促進鐵路運輸,但連續(xù)發(fā)生多起因火車軸斷裂,列車出軌事故。 b. 大量斷軸分析和試驗研究表明:裂紋均從輪座內緣尖角處開始。認識到:金屬在交變應力下,即使應力遠**金屬的抗拉強度,經(jīng)一定循環(huán)積累,也會發(fā)生斷裂,即“疲勞”
無損檢測分析 工程檢查/無損檢測無損檢測是在不損壞工件或原材料工作狀態(tài)的前提下,對被檢驗部件的表面和內部質量進行檢查的一種測試手段。 無損檢測方法 常用的無損檢測方法有:X光射線探傷、超聲波探傷、磁粉探傷、滲透探傷、渦流探傷、γ射線探傷、螢光探傷、著色探傷等方法。 無損檢測目地 通過對產(chǎn)品內部缺陷進行檢測對產(chǎn)品從以下方面進行改進。 1、改進制造工藝; 2、降低制造成本; 3、提高產(chǎn)品的可靠性; 4
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