疫情捐助百萬(wàn)探針臺(tái)無(wú)償捐贈(zèng)湖北

時(shí)間：2020-02-11作者：儀準(zhǔn)科技（北京）有限公司瀏覽：4

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• 詞條

  詞條說(shuō)明

• FIB功能介紹

  FIB - SEM雙束系統(tǒng)在微電子領(lǐng)域的應(yīng)用 隨著半導(dǎo)體電子器件及集成電路技術(shù)的飛速發(fā)展，器件及電路結(jié)構(gòu)越來(lái)越復(fù)雜，這對(duì)微電子芯片工藝診斷、失效分析、微納加工的要求也越來(lái)越高。FIB - SEM雙束系統(tǒng)所具備的強(qiáng)大的精細(xì)加工和微觀分析功能，使其廣泛應(yīng)用于微電子設(shè)計(jì)和制造領(lǐng)域。 基本原理： FIB - SEM雙束系統(tǒng)是指同時(shí)具有聚焦離子束（Focused Ion Beam，F(xiàn)IB）和掃描電子顯微鏡（

• 熱插拔帶來(lái)的EOS損壞

  熱插拔帶來(lái)的EOS損壞 \使用USB接口的產(chǎn)品，如果熱插拔設(shè)計(jì)存在問(wèn)題的話(huà)，*帶來(lái)EOS破壞。 產(chǎn)品熱插拔的時(shí)候，可能會(huì)帶來(lái)瞬時(shí)的大電流，這種大電流，是一種震蕩波，首先，可能直接破壞芯片或器件，而是激發(fā)芯片產(chǎn)生大電流的latchup效應(yīng)，最后燒壞芯片或器件。 某產(chǎn)品試用時(shí)，插拔時(shí)頻頻出現(xiàn)損壞，經(jīng)過(guò)比對(duì)電性分析，發(fā)現(xiàn)電性明顯異常，進(jìn)行EMMI測(cè)試，發(fā)現(xiàn)芯片表面異常亮點(diǎn)，在顯微鏡下，發(fā)現(xiàn)鋁線(xiàn)燒損，判

• 科研測(cè)試補(bǔ)貼90% 附申請(qǐng)鏈接

  科研測(cè)試補(bǔ)貼90% 附申請(qǐng)鏈接 半導(dǎo)體元器件失效分析可靠性測(cè)試 今天 在北京地區(qū)注冊(cè)，具有獨(dú)立法人資格，在職正式職工不多于100人，營(yíng)業(yè)收入1000萬(wàn)元以下，注冊(cè)資金不**2000萬(wàn)元，具有健全的財(cái)務(wù)機(jī)構(gòu)，管理規(guī)范，無(wú)不良誠(chéng)信記錄； 每年度符合補(bǔ)貼要求的業(yè)務(wù)合同金額 10萬(wàn)元及以下的部分按照較高不**過(guò)90%的比例核定； **過(guò)10萬(wàn)元至50萬(wàn)元的部分按照較高不**過(guò)60%的比例核定； **過(guò)50萬(wàn)元至1

• 失效分析原理

  失效分析是一門(mén)發(fā)展中的新興學(xué)科，近年開(kāi)始從**向普通企業(yè)普及。它一般根據(jù)失效模式和現(xiàn)象，通過(guò)分析和驗(yàn)證，模擬重現(xiàn)失效的現(xiàn)象，找出失效的原因，挖掘出失效的機(jī)理的活動(dòng)。在提高產(chǎn)品質(zhì)量，技術(shù)開(kāi)發(fā)、改進(jìn)，產(chǎn)品修復(fù)及仲裁失效事故等方面具有很強(qiáng)的實(shí)際意義。其方法分為有損分析，無(wú)損分析，物理分析，化學(xué)分析等。 原理 失效機(jī)制是導(dǎo)致零件、元器件和材料失效的物理或化學(xué)過(guò)程。此過(guò)程的誘發(fā)因素有內(nèi)部的和外部的。在研究失