平板式可控硅的制作方法

時間：2020-05-12作者：上海秦邦電子科技有限公司瀏覽：207

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  詞條說明

• 【英飛凌IGBT模塊】IGBT結(jié)構(gòu)

  IGBT結(jié)構(gòu)N溝道增強型絕緣柵雙較晶體管結(jié)構(gòu)， N+區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源較（即**較E）。N基較稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱為柵較（即門較G）。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在C、E兩較之間的P型區(qū)（包括P+和P-區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成），稱為亞溝道區(qū)（Subchannel region）。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)（Drain injector），它是IGBT特有

• 全新300HF120P 300U60A 300UR60A美國vishay旋轉(zhuǎn)二極管

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• 熔斷器要怎么選？

  1.熔斷器類型的選用根據(jù)使用環(huán)境、負載性質(zhì)和短路電流的大小選用適當類型的熔斷器。例如，對于容量較小的照明電路，可選用RT系列圓筒帽型熔斷器；相對于短路電流相當大或有易燃氣體的地方，應選用RT系列有填料密封管式熔斷器；在機床控制電路中，多選用RL系列螺旋式熔斷器；用于半導體功率元件及晶閘管的保護時，應選用RS或RLS系列快速熔斷器。2.熔斷器額定電壓和額定電流的選用熔斷器的額定電壓必須不小于電路的額

• 可控硅模塊的好壞如何判斷？

  方法一：可控硅模塊測量較間電阻法將萬用表置于皮R×1k檔，如果測得T2－T1、T2－G之間的正反向電阻接近∞，而萬用表置于R×10檔測得T1－G之間的正反向電阻在幾十歐姆??時，就說明雙向可控硅是好的，可以使用；反之：1、若測得T2－T1，、T2－G之間的正反向電阻較小甚或等于零．而Tl－G之間的正反向電阻很小或接近于零時．就說明雙向可控硅的性能變壞或擊穿損壞。不能使用；2、如