5**0F場效應(yīng)MOS管 三管

時間：2022-08-23作者：深圳市維品佳科技有限公司瀏覽：350

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• 直插封裝的新型反激功率開關(guān)CR6249 啟達芯片

  直插封裝的新型反激功率開關(guān)CR6249 啟達芯片CR6249 芯片特性：1.CR6249是DIP8封裝的新型反激功率開關(guān)；2.內(nèi)置軟啟動，減小 MOSFET 的應(yīng)力，內(nèi)置斜坡補償電路；3.具有頻率抖動功能，使其具有良好的 EMI 特性；4.264VAC 輸入待機功耗:<75mW；5.具有“軟啟動、OCP、SCP、OTP、OVP 自動恢復(fù)等保護功能；6.無需光耦和 TL431,電路結(jié)構(gòu)簡單、較

• 原邊電源芯片CR6248

  CR6248CC/CV原邊檢測PWM開關(guān)CR6248主要特點? 待機75mW?? 原邊檢測拓撲結(jié)構(gòu)，無需光耦和TL431?? 全電壓范圍內(nèi)恒壓和恒流輸出? 可編程CC/CV模式控制? 采用多模式控制的效率均衡技術(shù)? 內(nèi)置輸出線電壓補償功能? 內(nèi)置初級電感量偏差補償功能? 內(nèi)置全電壓功率自適應(yīng)補償功能? 動態(tài)負載響應(yīng)功能? 內(nèi)置過溫度保護功能? 內(nèi)置CS開路保護功能? 內(nèi)置輸出短

• 儲能電源管理芯片CR6842S SOP-8L 啟達

  儲能電源管理芯片CR6842S SOP-8L 啟達CR6842S芯片特征：?* 高集成特性可使系統(tǒng)外部器件減至最少?* 低的啟動電流：7.5uA（Typ）、低的工作電流：3mA（Typ）?* 內(nèi)置頻率抖動以改善 EMI 特性?* 內(nèi)置前沿消隱(LEB)電路和同步斜率補償??* 為改善效率和最小待機功耗而設(shè)計的 Hiccup Mode &a

• 小功率 AC/DC適配器電源芯片CR6267SG 國內(nèi)啟達

  小功率 AC/DC適配器電源芯片CR6267SG 國內(nèi)啟達CR6267SG 芯片特性：?1. CR6267SG 內(nèi)置高壓功率 MOSFET，反激式原邊檢測 PWM 功率開關(guān)；2. 內(nèi)置軟啟動，減小 MOSFET 的應(yīng)力，內(nèi)置斜坡補償電路；3.較低的 IC 功耗，SOP8 封裝 ，一側(cè)引腳均為 MOS 漏級以優(yōu)化散熱；4. 具有良好的動態(tài)負載特性；5. 具有良好的 EMI 特性；6.具有“