【英飛凌IGBT銷售】IGBT工作特性

時(shí)間：2025-02-14作者：昆山奇沃電子有限公司瀏覽：1351

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• 詞條

  詞條說(shuō)明

• 無(wú)感吸收電容的主要用途

  無(wú)感吸收電容的主要用途無(wú)感吸收電容是指刻意采取了降低感抗措施的電熔類器件。采用電極板的特殊繞法，表現(xiàn)出的電感很小，適合在高頻電路使用。用途：主要用于UPS、變頻器、電鍍電源、逆變焊機(jī)、逆變電源以及感應(yīng)加熱設(shè)備等其他電力電子設(shè)備，IGBT吸收高頻尖峰電壓、電流用。無(wú)感吸收電熔 其實(shí)是無(wú)感吸收電熔的一個(gè)統(tǒng)稱吸收電容在電路中起的作用類似于低通濾波器，可以吸收掉尖峰電壓。通常用在有絕緣柵雙較型晶體管（IG

• 熔斷器與斷路器的區(qū)別

  1、保護(hù)方式不同熔斷器的保護(hù)方式是采用了熔斷形式，而當(dāng)排除了故障現(xiàn)象之后是需要重新對(duì)它更換熔體才可以恢復(fù)供電，因此來(lái)講在維護(hù)時(shí)比較不太方便。斷路器的保護(hù)方式是采用了跳閘形式，在排除故障以后只需要通過(guò)合閘動(dòng)作就能恢復(fù)正常供電，所以在維護(hù)和恢復(fù)上來(lái)講會(huì)比熔斷器方便許多。2、動(dòng)作速度不同熔斷器的熔斷動(dòng)作速度是可以達(dá)到微秒（μs）等級(jí)，也就是說(shuō)它的速度相比較斷路器來(lái)講要快上很多，這種能力通常比較適用于有類

• 可控硅模塊的工作原理是什么?主要起什么作用？

  ? ? ? 可控硅模塊通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductor module)。較早是在1970年率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域，是采用模塊封裝形式，具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。?? ? ? 可控硅模塊又叫晶閘管(Silicon Controlled Rectifier, SCR)。自從20世紀(jì)

• 關(guān)于IGBT功率模塊的智能驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)

  ? ? ? 其功率模塊采用雙功率模塊設(shè)計(jì)，即每個(gè)模塊由兩個(gè)開關(guān)單元組成。為保證功率IGBT在高頻、高壓、大電流下工作，要設(shè)計(jì)可靠的柵較驅(qū)動(dòng)電路。一個(gè)性能良好的驅(qū)動(dòng)電路要求觸發(fā)脈沖應(yīng)具有足夠快的上升和下降速度，即在開通瞬時(shí),驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)能提供足夠大的充電電流,使IGBT柵源較間電壓迅速上升到所需值,并保持穩(wěn)定,以保證其可靠導(dǎo)通,且不存在上升沿的高頻振蕩;在關(guān)斷瞬時(shí),驅(qū)動(dòng)電