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可控硅模塊分類可控硅模塊通常被稱之為功率半導體模塊(semiconductor module)。較早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域,是采用模塊封裝形式,具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導體器件??煽毓枘K從內(nèi)部封裝芯片上可以分為可控模塊和整流模塊兩大類;從具體的用途上區(qū)分,可以分為:普通晶閘管模塊(MTC\MTX\MTK\MTA)、普通整流管模塊(MDC)、普通晶閘
IGBT簡介IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙較型晶體管,是由BJT(雙較型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上
還記得當年讀書時學的是電子電器專業(yè),每學期放假回家就會被左鄰右舍的人叫去修電視,那時候使用的都還是黑白電視,還有當時電壓也不穩(wěn)定,電視機損壞較多的就是保險絲。那時候的保險絲就是普通玻璃管保險絲,農(nóng)村要去買個保險絲也不是很方便,有時候就用鐵片或者鐵絲直接把電路連起來充當保險絲(相信很多人都這么干過吧),也能正常使用,但這樣使用很不安全,有時候還會把電視的其它零件損壞,從那時候起就對這種透明玻璃管保險
英飛凌IGBT模塊檢測方法 :測試方式:用萬用表只能測量,但不全面,若IGBT損壞一般可以測量出來,但是,若IGBT是好的,它無法肯定是好的。IGBT損壞標準:GE、EG、CE、GC、CG任意一組出現(xiàn)二極管檔有讀數(shù),即為損壞。(GE表示G接正表筆,E接負表筆;其它類同)IGBT的EC之間接有二極管,所以為導通狀態(tài),電壓為0.34V左右。若想完整測試IGBT需要用晶體管圖示儀。以英飛凌FF450R1
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