可控硅調(diào)速原理

時間：2020-05-12作者：上海秦邦電子科技有限公司瀏覽：553

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  詞條說明

• 工欲善其事，必先利其器 -- 新版SemiSel V5 功率半導體選型工具

  效率較高、設(shè)計較緊湊、功率密度較高，同時確保盡快上市、滿足目標成本?……以上列舉的要求不過是電力電子開發(fā)人員所面臨的眾多挑戰(zhàn)的一部分。開發(fā)人員需要在變化多樣的產(chǎn)品市場中選擇合適的器件，SemiSel應(yīng)運而生。這一款高效的選型工具可以幫助產(chǎn)品開發(fā)人員在選型時做出正確的選擇。SemiSel迄今仍是同類工具中較全面的免費工具，可以用于研究不同運行條件下的各種電力電子電路。在用戶友好性、功能復雜

• 常用的熔斷器有哪些分類？

  （1）插入式熔斷器它常用于380V及以下電壓等級的線路末端，作為配電支線或電氣設(shè)備的短路保護用。?（2）螺旋式熔斷器熔體上的上端蓋有一熔斷指示器，一旦熔體熔斷，指示器馬上彈出，可透過瓷帽上的玻璃孔觀察到，它常用于機床電氣控制設(shè)備中。螺旋式熔斷器。分斷電流較大，可用于電壓等級500V及其以下、電流等級200A以下的電路中，作短路保護。?（3）封閉式熔斷器封閉式熔斷器分有填料熔斷器

• 【英飛凌IGBT模塊】IGBT原理

  IGBT原理方法IGBT是將強電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進化。由于實現(xiàn)一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道，而這個通道卻具有很高的電阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征，IGBT消除了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點。雖然較新一代功率MOSFET 器件大幅度改進了RDS(on)特性，但是在高電平時，功率導通損耗仍然要比IGBT 技術(shù)高

• 【可控硅模塊】測試可控硅模塊的升溫3個方法

  測試可控硅模塊的升溫3個方法可控硅模塊通常被稱之為功率半導體模塊(semiconductor module)。較早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域，是采用模塊封裝形式，具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導體器件。1、可控硅模塊環(huán)境溫度的測定：在距被測可控硅模塊表面1.5m處放置溫度計，溫度計測點距地面的高度與減速機軸心線等高，溫度計的放置應(yīng)不受外來輻射熱與氣流的影響，環(huán)