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微電子失效分析方法總結(jié) 失效分析 趙工 1 、C-SAM(超聲波掃描顯微鏡),無損檢查:1.材料內(nèi)部的晶格結(jié)構(gòu),雜質(zhì)顆粒.夾雜物.沉淀物.2. 內(nèi)部裂紋. 3.分層缺陷.4.空洞,氣泡,空隙等. 德國 2 、X-Ray(這兩者是芯片發(fā)生失效后首先使用的非破壞性分析手段),德國Fein 微焦點Xray用途:半導體BGA,線路板等內(nèi)部位移的分析 ;利于判別空焊,虛焊等BGA焊接缺陷. 參數(shù):標準檢測分
半導體技術公益課堂 題 目: 半導體封裝點膠工藝的改進 簡 介: 1.目前市面上的主流點膠方式 2.主流點膠的優(yōu)缺點 3.新興點膠方式(壓電技術)應用 4.壓電點膠應用的優(yōu)缺點 時 長: 30分鐘 主講人: 江蘇高凱精密流體技術股份有限公司-謝靜 主要從事半導體封裝行業(yè)點膠技術的改進 時 間 : 2020年4月12日(周日)下午3點 北軟檢測智能產(chǎn)品檢測實驗室于2015年底實施運營,能夠依據(jù)**、
聚焦離子束FIB詳解 1.引言 隨著納米科技的發(fā)展,納米尺度制造業(yè)發(fā)展*,而納米加工就是納米制造業(yè)的**部分,納米加工的代表性方法就是聚焦離子束。近年來發(fā)展起來的聚焦離子束(FIB)技術利用高強度聚焦離子束對材料進行納米加工,配合掃描電鏡(SEM)等高倍數(shù)電子顯微鏡實時觀察,成為了納米級分析、制造的主要方法。目前已廣泛應用于半導體集成電路修改、切割和故障分析等。 2.工作原理 聚焦離子束(ed
聚焦離子束顯微鏡FIB/SEM/EDX FEI Scios 2 DualBeam技術指標 一、技術指標 1、電子束電流范圍:1 pA - 400 nA; 2、電子束電壓:200eV-30 keV,具有減速模式 3、電子束分辨率:0.7 nm (30 keV)、1.4 nm(1 keV) 4、大束流Sidewinder離子鏡筒; 5、離子束加速電壓500V-30kV(分辨率:3.0 nm); 6、離
公司名: 儀準科技(北京)有限公司
聯(lián)系人: 趙
電 話: 01082825511-869
手 機: 13488683602
微 信: 13488683602
地 址: 北京海淀中關村東升科技園
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網(wǎng) 址: advbj123.cn.b2b168.com
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