IC封裝失效分析實驗室

時間：2020-04-13作者：儀準科技（北京）有限公司瀏覽：124

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• 詞條

  詞條說明

• 芯片開封decap簡介及芯片開封在失效分析中應(yīng)用案例分析

  半導(dǎo)體元器件失效分析性測試?2024年07月08日 15:32?北京DECAP：即開封，業(yè)內(nèi)也稱開蓋，開帽。是指將完整封裝的IC做局部腐蝕，使得IC可以暴露出來 ，同時保持芯片功能的完整無損，為下一步芯片失效分析實驗做準備，方便觀察或做其他測試。通過芯片開封，我們可以為直觀的觀察到芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)，從而結(jié)合OM，X-RAY等設(shè)備分析判斷樣品的異常點位和失效的可能原因。開封方法及注意

• 聚焦離子束顯微鏡FIB應(yīng)用

  1.引言 隨著納米科技的發(fā)展，納米尺度制造業(yè)發(fā)展*，而納米加工就是納米制造業(yè)的**部分，納米加工的代表性方法就是聚焦離子束。近年來發(fā)展起來的聚焦離子束（FIB）技術(shù)利用高強度聚焦離子束對材料進行納米加工，配合掃描電鏡（SEM）等高倍數(shù)電子顯微鏡實時觀察，成為了納米級分析、制造的主要方法。目前已廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體集成電路修改、切割和故障分析等。 2.工作原理 聚焦離子束(ed Ion beam, F

• 金相試樣制備及常見問題

  金相試樣制備及常見問題 金相分析是研究材料內(nèi)部組織結(jié)構(gòu)的重要方法，一般用來進行失效分析（FA）、質(zhì)量控制（QC）、研發(fā)（RD）等。而金相試樣制備的目的是獲得材料內(nèi)部真實的組織結(jié)構(gòu)，需要通過不同的金相試樣制備方法去完成。 一般來說，金相試樣制備的方法有：機械法（傳統(tǒng)意義上的機械制備--磨拋）、電解法（電解拋光和浸蝕）、化學(xué)法（化學(xué)浸蝕）、化學(xué)機械法（化學(xué)作用和機械作用同時去除材料）。 金相試樣制備的

• 熱插拔帶來的EOS損壞

  熱插拔帶來的EOS損壞 \使用USB接口的產(chǎn)品，如果熱插拔設(shè)計存在問題的話，*帶來EOS破壞。 產(chǎn)品熱插拔的時候，可能會帶來瞬時的大電流，這種大電流，是一種震蕩波，首先，可能直接破壞芯片或器件，而是激發(fā)芯片產(chǎn)生大電流的latchup效應(yīng)，最后燒壞芯片或器件。 某產(chǎn)品試用時，插拔時頻頻出現(xiàn)損壞，經(jīng)過比對電性分析，發(fā)現(xiàn)電性明顯異常，進行EMMI測試，發(fā)現(xiàn)芯片表面異常亮點，在顯微鏡下，發(fā)現(xiàn)鋁線燒損，判