真空鍍膜設(shè)備由哪些部分構(gòu)成

時間：2022-03-26作者：廣東振華科技股份有限公司廣東廣州分公司瀏覽：119

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• 影響磁控濺射中靶中毒的因素有哪些？

  一、靶面金屬化合物的形成由金屬靶面通過反應(yīng)濺射工藝形成化合物的過程中，化合物是在哪里形成的呢？由于活性反應(yīng)氣體粒子與靶面原子相碰撞產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)生成化合物原子，通常是放熱反應(yīng)，反應(yīng)生成熱必須有傳導(dǎo)出去的途徑，否則該化學(xué)反應(yīng)無法繼續(xù)進行。在真空條件下氣體之間不可能進行熱傳導(dǎo)，所以化學(xué)反應(yīng)必須在一個固體表面進行。反應(yīng)濺射生成物在靶表面、基片表面、和其他結(jié)構(gòu)表面進行。在基片表面生成化合物是我們的目的，在其

• 真空磁控濺射鍍膜設(shè)備的技術(shù)特點有哪些？

  真空磁控濺射鍍膜設(shè)備的技術(shù)特點 真空磁控濺射鍍膜特別適用于反應(yīng)沉積鍍膜，實際上，這種工藝可以沉積任何氧化物、碳化物以及氮化物材料的薄膜。此外，該工藝也特別適合用于多層膜結(jié)構(gòu)的沉積，包括了光學(xué)設(shè)計、彩色膜、耐磨涂層、納米層壓板、**晶格鍍膜、絕緣膜等。早在1970年，已經(jīng)有了高質(zhì)量的光學(xué)薄膜沉積案例，開發(fā)了多種光學(xué)膜層材料。這些材料包括有透明導(dǎo)電材料、半導(dǎo)體、聚合物、氧化物、碳化物以及氮化物等，至于氟

• 多弧離子真空鍍膜技術(shù)特點

  離子鍍的原理：離子鍍是在真空室中，利用氣體放電或被蒸發(fā)物質(zhì)部分離化，在氣體離子或被蒸發(fā)物質(zhì)粒子轟擊作用的同時，將蒸發(fā)物或反應(yīng)物沉積在基片上。離子鍍把輝光放電現(xiàn)象、等離子體技術(shù)和真空蒸發(fā)三者**結(jié)合起來， 不僅能明顯地改進了膜質(zhì)量，而且還擴大了薄膜的應(yīng)用范圍。其優(yōu)點是薄膜 附著力 強，繞射性好，膜材廣泛等。多弧離子鍍工藝的**特點是我們可以通過產(chǎn)生由高度電離的蒸發(fā)物質(zhì)文化組成的等離子體，其中離子之間

• 真空鍍膜機哪個好

  真空鍍膜機的種類繁多，接下來我們來拿磁控濺射鍍膜機來舉一下例子：該設(shè)備集控磁控濺射與離子鍍膜技術(shù)為一體，對提高顏色一致性，沉積速率及化合物成份的穩(wěn)定性提供了解決方案。根據(jù)不同的產(chǎn)品需求，可選配加熱系統(tǒng)、偏壓系統(tǒng)、離化系統(tǒng)等裝置，其靶位分布可靈活調(diào)整；膜層均勻性優(yōu)越；配備不同的靶材，可鍍制出心梗較好的復(fù)合膜層。設(shè)備所鍍的制的膜層具有附著力強，致密性高的優(yōu)點，可有效提高產(chǎn)品的耐鹽霧性，耐磨性及產(chǎn)品表面