詞條
詞條說明
鏈帶式焊接爐技術方案 鏈帶式焊接爐主要應用于半導體器件,金屬陶瓷,可控硅器件,玻璃封裝器件以及各種厚膜電路等焊接和燒結的連續(xù)工作的隧道式結構熱處理爐。 一、主要技術指標 1、設計溫度:≤700℃ 2、工作溫度:300℃~600℃ 3、爐內控溫:±5℃ 4、儀表控制精度:±1℃ 5、設備總長度:約10600mm;進出口臺面各為:800mm。 6、加熱區(qū)長度:≤3000mm(6段加熱) 7、冷卻區(qū)長
空爐(vacuum furnace)是真空環(huán)境中進行加熱的設備。在金屬罩殼或石英玻璃罩密封的爐膛中用管道與高真空泵系統(tǒng)聯(lián)接。爐膛真空度可達133×(10-2~10-4)h。爐內加熱系統(tǒng)可直接用電阻爐絲(如鎢絲)通電加熱,也可用高頻感應加熱。較高溫度可達3000℃左右。主要用于陶瓷燒成、真空冶煉、電真空零件除氣、退火、金屬件的釬焊,以及陶瓷-金屬封接等。 目 錄 1概述 2構造 3原理 4功能 5
太陽能電池擴散工藝及其設備 太陽能電池擴散工藝及其設備 ????技術方案是:一種太陽能電池擴散工藝,在太陽能電池擴散工藝中通控制抽氣排風壓力,使抽氣排風壓力這個參數(shù)保持穩(wěn)定,抽氣排風壓力這個參數(shù)保持穩(wěn)定,抽氣排風壓力的穩(wěn)定導致辭磷在硅片中的注入濃度穩(wěn)定,使加工后得到的硅片的方塊電池保持穩(wěn)定,在后道的燒結中可以匹配出高效的太陽能電池。抽氣排風壓力通過在機臺排
LPCVD設備維修及應用 低壓化學氣相淀積設備使用與維護技術 LPCVD是大規(guī)模集成電路(LSI)和**大規(guī)模集成電路(VLSI)以及半導體光電器件工藝領域里的主要工藝之一。 PCVD技術可以提高淀積薄膜的質量,使膜層具有均勻性好、缺陷密度低、臺階覆蓋性好等優(yōu)點,成為制備Si 3N4薄膜的主要方法。熱壁LPCVD設備使用過程中出現(xiàn)薄膜的淀積速率、薄膜的均勻性、片內均勻性、片間均勻性不理想等問題,提
公司名: 青島福潤德微電子設備有限公司
聯(lián)系人: 顏
電 話: 0532-68017157
手 機: 13658669338
微 信: 13658669338
地 址: 山東青島城陽區(qū)青島市城陽區(qū)北萬工業(yè)園
郵 編: 266000
公司名: 青島福潤德微電子設備有限公司
聯(lián)系人: 顏
手 機: 13658669338
電 話: 0532-68017157
地 址: 山東青島城陽區(qū)青島市城陽區(qū)北萬工業(yè)園
郵 編: 266000