（單管程序氧化爐）

時(shí)間：2014-10-22作者：青島福潤(rùn)德微電子設(shè)備有限公司瀏覽：74

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• 詞條

  詞條說(shuō)明

• LPCVD設(shè)備

  LPCVD設(shè)備維修及應(yīng)用 低壓化學(xué)氣相淀積設(shè)備使用與維護(hù)技術(shù) LPCVD是大規(guī)模集成電路(LSI)和**大規(guī)模集成電路(VLSI)以及半導(dǎo)體光電器件工藝領(lǐng)域里的主要工藝之一。 PCVD技術(shù)可以提高淀積薄膜的質(zhì)量，使膜層具有均勻性好、缺陷密度低、臺(tái)階覆蓋性好等優(yōu)點(diǎn)，成為制備Si 3N4薄膜的主要方法。熱壁LPCVD設(shè)備使用過(guò)程中出現(xiàn)薄膜的淀積速率、薄膜的均勻性、片內(nèi)均勻性、片間均勻性不理想等問(wèn)題，提

• led專用爐

  ■ LED**爐特點(diǎn)?? ◆ 關(guān)鍵件全部采用進(jìn)口件，具有高可靠性 ◆ 具有可編程的升、降溫功能???????? ◆ 具有斷電報(bào)警、**溫報(bào)警、極限**溫報(bào)警等多種安全保護(hù)功能。 ◆ 具有高抗干擾能力 ◆ 具有多種工藝管路，可供用戶隨意靈活配置?? ?★?賽瑞達(dá)可

• 等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積系統(tǒng)(PECVD)

  ? 等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積系統(tǒng)(PECVD) PECVD（等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積）設(shè)備是一種用于在基片上生成高質(zhì)量SiNx和SiO2薄膜的**設(shè)備。淀積溫度范圍寬( 100～600oC可調(diào))，特別適用于半導(dǎo)體器件和集成電路的鈍化，用以提高器件和集成電路可靠性。目前，它已成為微電子和光電子領(lǐng)域科研和生產(chǎn)不可缺少的設(shè)備。 產(chǎn)品特點(diǎn)： 1、膜質(zhì)量高。它不同于通常使用的翻蓋式單室機(jī)（易漏大氣而

• 石英領(lǐng)

  ?石英軟領(lǐng)為進(jìn)口石英纖維棉采用德國(guó)加工工藝制成，用于擴(kuò)散爐和PECVD設(shè)備中爐體和石英管之間的隔熱保溫，解決了以往用保溫棉存在的兩大問(wèn)題：一是保溫棉長(zhǎng)時(shí)間在高溫下出現(xiàn)粉化脫落從而影響工作腔體潔凈度，二是手動(dòng)堵塞保溫棉不均勻，影響工作區(qū)溫度穩(wěn)定性和均勻性。本產(chǎn)品可長(zhǎng)期使用在高溫下，不粉化，不變形，不硬化，不氧化，防震，防腐蝕。