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三星、海力士等涉嫌串謀操縱芯片價(jià)格 被提起集體訴訟
海力士芯片鳳凰網(wǎng)科技訊 科技博客AppleInsider據(jù)北京時(shí)間4月28日?qǐng)?bào)道,三星電子、海力士和美光科技再次遭遇集體訴訟,被指控串謀限制DRAM內(nèi)存芯片供應(yīng),使零售價(jià)格人為保持在高位。律師事務(wù)所Hagens Ber ** n稱,盡管DRAM芯片需求創(chuàng)紀(jì)錄,但三星、美光和海力士之間的競爭可能會(huì)迫使芯片價(jià)格下跌。的**性DRAM的產(chǎn)量下降,芯片銷量增長了一倍多,并串謀操縱芯片價(jià)格。截至2017年中
電源管理半導(dǎo)體本中的主導(dǎo)部分是電源管理 IC,大致可歸納為下述 8 種。1、AC/DC調(diào)制IC,內(nèi)含低電壓控制電路及高壓開關(guān)晶體管;2、DC/DC調(diào)制IC,包括升壓 / 降壓調(diào)節(jié)器,以及電荷泵;3、功率因數(shù)控制PFC預(yù)調(diào)制IC,提供具有功率因數(shù)校正功能的電源輸入電路;4、脈沖調(diào)制或脈幅調(diào)制PWM/PFM 控制IC,為脈沖頻率調(diào)制和/或脈沖寬度調(diào)制控制器,用于驅(qū)動(dòng)外部開關(guān);5、線性調(diào)制IC(如線性低
LDO 線性降壓芯片如:2596,L78 系列等。DC/DC 降壓芯片:在降壓過程中能量損耗比較小,芯片發(fā)熱不明顯。芯片封裝比較小,能實(shí)現(xiàn) PWM 數(shù)字控制。DC/DC 降壓芯片如:TPS5430/31,TPS75003,MAX1599/61,TPS61040/41總的來說,進(jìn)行 PCB 設(shè)計(jì)時(shí),升壓是一定要選 DCDC 的,降壓,是選擇 DCDC 還是 LDO,要在成本,效率,噪聲和性能上比較。
Java內(nèi)存主要分布在堆棧、堆棧和方法區(qū)域。堆棧的內(nèi)存是固定的,只與類別結(jié)構(gòu)有關(guān),在運(yùn)行前確定,可以在方法或線程結(jié)束時(shí)回收。堆疊和方法區(qū)域的內(nèi)存是動(dòng)態(tài)的。例如,界面有不同的實(shí)現(xiàn)類別,內(nèi)存是不同的。例如,該方法可能采用不同的邏輯分支,內(nèi)存也不同。因此,堆疊和方法區(qū)域的內(nèi)存只能在運(yùn)行過程中確定,必須動(dòng)態(tài)分配和回收,從而產(chǎn)生垃圾。Java垃圾回收是針對(duì)堆放和方法區(qū)的。堆放和方法區(qū)是引用對(duì)象(基本類型在堆
公司名: 深圳市福田區(qū)誠芯源電子商行
聯(lián)系人: 劉小姐
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