詞條
詞條說(shuō)明
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)
1)柵電壓IGBT工作時(shí),必須有正向柵電壓,常用的柵驅(qū)動(dòng)電壓值為15~187,最高用到20V, 而棚電壓與柵極電阻Rg有很大關(guān)系,在設(shè)計(jì)IGBT驅(qū)動(dòng)電路時(shí), 參考IGBT Datasheet中的額定Rg值,設(shè)計(jì)合適驅(qū)動(dòng)參數(shù),保證合理正向柵電壓。因?yàn)镮GBT的工作狀態(tài)與正向棚電壓有很大關(guān)系,正向柵電壓越高,開(kāi)通損耗越小,正向壓降也越小。2)Miller效應(yīng)為了降低Miller效應(yīng)的影響,在IGBT柵
1、安全工作區(qū)在安全上面,主要指的就是電的特性,除了常規(guī)的變壓電流以外,還有RBSOA(反向偏置安全工作區(qū))和短路時(shí)候的保護(hù)。這個(gè)是開(kāi)通和關(guān)斷時(shí)候的波形,這個(gè)是相關(guān)的開(kāi)通和關(guān)斷時(shí)候的定義。我們做設(shè)計(jì)時(shí)結(jié)溫的要求,比如長(zhǎng)期工作必須保證溫度在安全結(jié)溫之內(nèi),做到這個(gè)保證的前提是需要把這個(gè)模塊相關(guān)的應(yīng)用參數(shù)提供出來(lái)。這樣結(jié)合這個(gè)參數(shù)以后,結(jié)合選擇的IGBT的芯片,還有封裝和電流,來(lái)計(jì)算產(chǎn)品的功耗和結(jié)溫,是
英飛凌IGBT是一種高性能功率半導(dǎo)體器件,具有廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域。以下是英飛凌IGBT的一些主要用途:變頻驅(qū)動(dòng)器:英飛凌IGBT被廣泛用于交流電驅(qū)動(dòng)器中,例如用于工業(yè)應(yīng)用中的電機(jī)控制,如風(fēng)力發(fā)電機(jī)、電梯、水泵、壓縮機(jī)等。其高電壓和高電流能力使其適用于各種功率需求。電力傳輸和分配:英飛凌IGBT在電力系統(tǒng)中的應(yīng)用廣泛,用于直流輸電、柔性交流輸電系統(tǒng)、高壓直流輸電站等。它們能夠?qū)崿F(xiàn)高效的電力傳輸和變換,提
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