plasma等離子處理TEOS工藝沉積二氧化硅薄膜的光譜研究

時(shí)間：2023-03-20作者：深圳子柒科技有限公司瀏覽：83

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• 詞條

  詞條說明

• 電漿清洗機(jī)氫去除SiC表面污染物C和O

  SiC該材料是三代半導(dǎo)體材質(zhì)，具有高臨界擊穿電場(chǎng)、高導(dǎo)熱性、高載流子飽和漂移速度等特點(diǎn)。它是**半導(dǎo)體功率器件的*方向，在高壓、高溫、高頻、抗輻射半導(dǎo)體器件低損耗的優(yōu)良性能，是**半導(dǎo)體功率器件的*。? ? ? ??但經(jīng)傳統(tǒng)濕法處理后的SiC表面存在著殘留有C雜質(zhì)和表面容易被氧化等缺點(diǎn)，使得在SiC上不容易形成優(yōu)良的歐姆接觸和低界面態(tài)的MOS結(jié)

• 等離子體處理對(duì)金剛石發(fā)生Raman散射熒光增強(qiáng)的原因研究

  熒光標(biāo)記對(duì)生物醫(yī)學(xué)生物傳感、材料科學(xué)等方面都是非常有效的檢測(cè)手段。羅丹明、熒光素、吖啶、菁等傳統(tǒng)的**熒光染料分子易發(fā)生團(tuán)聚(微米級(jí))不易進(jìn)入細(xì)胞。熒光素類標(biāo)記物易與同類物種間發(fā)生能量轉(zhuǎn)移，隨著標(biāo)記量增大熒光信號(hào)反而降低，導(dǎo)致自猝滅。? ? ? ? 金剛石既發(fā)熒光又無光致漂白現(xiàn)象，高生物相容性且、大比表面積，較易于與抗體結(jié)合形成熒光標(biāo)記物進(jìn)行靶向標(biāo)記，被廣泛

• plasma等離子處理TEOS工藝沉積二氧化硅薄膜的光譜研究

  二氧化硅薄膜是一種性能優(yōu)良的介質(zhì)材料，它具有介電性能穩(wěn)定，介質(zhì)損耗小，耐潮性好，溫度系數(shù)好等優(yōu)點(diǎn)，具有較其穩(wěn)定的化學(xué)性和電絕緣性。因此，二氧化硅在集成電路工藝中的應(yīng)用很廣泛。? ? ? ? 正是由于二氧化硅薄膜在集成電路工藝中應(yīng)用的廣泛性，所以需要制備具有不同特性的二氧化硅薄膜，這就意味著要不斷研發(fā)出各種新型的薄膜沉積技術(shù)。近年來，常壓plasma等離子處理

• 汽車手機(jī)配件材料脫漆、噴不上用等離子火焰處理機(jī)怎么樣

  汽車手機(jī)配件材料脫漆、噴不上用等離子火焰處理機(jī)怎么樣：? ? ? ?由于大多數(shù)塑料表面張力較低，因此過去的很多設(shè)計(jì)都是采用替代材料，只要表面經(jīng)等離子火焰處理機(jī)處理后，能達(dá)到噴漆或粘合等工藝標(biāo)準(zhǔn)，就**采用這種材料。近年來，成本、材料的使用性能等都日益成為產(chǎn)品設(shè)計(jì)中的主導(dǎo)因素，這促使汽車制造商開始關(guān)注更多的塑料品種。目前，PP、PC、ABS、SMC、各種彈性體