可編程高壓電源

時(shí)間：2016-11-28作者：長(zhǎng)春艾克思科技有限責(zé)任公司瀏覽：136

長(zhǎng)春艾克思科技有限責(zé)任公司專注于調(diào)Q電源,二極管測(cè)試儀,TEC溫度控制器等

• 詞條

  詞條說(shuō)明

• 可編程高壓電源

  一、應(yīng)用范圍 1、高壓實(shí)驗(yàn) 2、電器設(shè)備的絕緣耐壓測(cè)試 3、 高壓電容耐壓測(cè)試 4、電子加速實(shí)驗(yàn) 5、 電離空氣產(chǎn)生等離子體 6、半導(dǎo)體器件測(cè)試 7、IGBT測(cè)試 8、二極管測(cè)試 二、電源參數(shù) 類型 數(shù)值 單位 備注 輸出電壓 0-20.00 kV 電壓控制 0-5 V 電源自帶的多圈電位器可通過(guò)0-5V調(diào)節(jié)輸出的0-20kv 過(guò)流保護(hù) 5 W 當(dāng)輸出功率大于5W時(shí)，電源自動(dòng)啟動(dòng)保護(hù) 輸出功率 0

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  MOS管并聯(lián)均流技術(shù)分析 IGBT管并聯(lián)均流技術(shù)分析 BJT?管并聯(lián)均流技術(shù)分析 ? ? 普通的功率MOSFET因?yàn)閮?nèi)阻低、耐壓高、電流大、驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)易等優(yōu)良特性而得到了廣泛應(yīng)用。當(dāng)單個(gè)MOSFET的電流或耗散功率不滿足設(shè)計(jì)的需求時(shí)就遇到了并聯(lián)mos管的問(wèn)題。并聯(lián)mos管的兩大問(wèn)題，其一就是mos管的選型，其二就是mos管參數(shù)的篩選。 首先我們測(cè)試從某網(wǎng)店購(gòu)買的IRF4

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  歐電阻的溫度影響精度測(cè)試分析 取樣電阻的溫度影響精度測(cè)試分析 分流器的精確測(cè)試分析 分流器是測(cè)量直流電流用的，根據(jù)直流電流通過(guò)阻值很小的電阻時(shí)在電阻兩端產(chǎn)生電壓的原理制成。 在實(shí)際應(yīng)用中，要測(cè)量一個(gè)很大的電流值，沒(méi)有大量程的電流表測(cè)量其電流，分流器就可以產(chǎn)生作用了。分流器兩端產(chǎn)生毫伏級(jí)直流電壓信號(hào)，使并接在該分流器兩端的計(jì)量表顯示電壓值，分流器的電阻時(shí)定值，通過(guò)計(jì)算得到實(shí)際測(cè)量的電流值。 但實(shí)際生

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  AIKS推出2kHz電光調(diào)Q模塊，主要應(yīng)用于激光打標(biāo)機(jī)領(lǐng)域！ 該模塊在原有基礎(chǔ)上，將工作頻率提高到2kHz，自身消耗功率小于5W，體積小巧，很容易和激光器集成在一起。同時(shí)模塊增加了和激光打標(biāo)卡的接口，直接用于現(xiàn)有各種打標(biāo)軟件系統(tǒng)。