分子泵組應(yīng)用于紅外原位分析平臺

時(shí)間：2024-01-12作者：伯東企業(yè)（上海）有限公司瀏覽：27

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• 美國 KRi 考夫曼離子源 KDC 40 熱蒸鍍機(jī)應(yīng)用

  上海伯東某客戶在熱蒸發(fā)鍍膜機(jī)中配置美國?KRi 考夫曼離子源?KDC 40, 進(jìn)行鍍膜前基片預(yù)清潔 Pre-clean 和輔助鍍膜 IBAD 工藝, 通過同時(shí)的或連續(xù)的離子轟擊表面使原子(分子)沉積在襯底上形成薄膜, 提高沉積薄膜附著力, 純度, 應(yīng)力, 工藝效率等.離子源鍍膜前基片預(yù)清潔 Pre-clean 和輔助鍍膜 IBAD考夫曼離子源 KDC 40 到基片距離控制在 3

• HVA 真空閥門用在氣體管路系統(tǒng)

  某半導(dǎo)體工廠在生產(chǎn)線上氣體輸送環(huán)節(jié)的氣體管路系統(tǒng)采用伯東?HVA?不銹鋼真空閘閥?11000?，作為真空隔離密封.?HVA?是真空技術(shù)創(chuàng)新者的真空閥門(插板閥),?是高真空閥門的主要制造商和供應(yīng)商.?在設(shè)計(jì)真空系統(tǒng)時(shí),?可以輕松集成?HVA?閥門. HVA?閘閥從5/8英寸（16

• HVA 真空閥門用在氣體管路系統(tǒng)

  某半導(dǎo)體工廠在生產(chǎn)線上氣體輸送環(huán)節(jié)的氣體管路系統(tǒng)采用伯東?HVA?不銹鋼真空閘閥?11000?，作為真空隔離密封.??HVA?不銹鋼真空閘閥?11000?系列標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)規(guī)格:??閥門材質(zhì):?-?閥門主體?304?不銹鋼?-?焊接波紋

• KRI 考夫曼射頻離子源濺射制備微晶硅薄膜

  硅薄膜作為薄膜太陽能電池的材料越來越引起人們的重視, 非晶硅薄膜太陽能電池由于存在轉(zhuǎn)換效率低和由 S-W 效應(yīng)引起的效率衰退等問題, 而微晶硅薄膜具有較高電導(dǎo)率、較高載流子遷移的電學(xué)性質(zhì)及優(yōu)良的光學(xué)穩(wěn)定性, 可以克服非晶硅薄膜的不足, 已成為光伏領(lǐng)域的研究熱點(diǎn).?采用磁控濺射沉積硅薄膜不需要使用 SiH4 等有毒氣體及相應(yīng)的尾氣處理裝置, 有利于降低設(shè)備成本, 且工藝參數(shù)控制, 因此經(jīng)過