KRi 大面積射頻離子源應(yīng)用于 12英寸,8英寸 IBE 離子束蝕刻系統(tǒng)

時(shí)間：2024-01-12作者：伯東企業(yè)（上海）有限公司瀏覽：40

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• KRi 大面積射頻離子源應(yīng)用于 12英寸,8英寸 IBE 離子束蝕刻系統(tǒng)

  上海伯東美國(guó)?KRi 考夫曼公司大面積射頻離子源? RFICP 380, RFICP 220 成功應(yīng)用于 12英寸和 8英寸 IBE? 離子束蝕刻機(jī), 刻蝕均勻性（1 σ）達(dá)到< 1%. 可以用來(lái)刻蝕任何固體材料, 包括金屬, 合金, 氧化物, 化合物, 混合材料, 半導(dǎo)體, 絕緣體, 導(dǎo)體等.離子束刻蝕屬于干法刻蝕, 其部件為大面積離子源. 作為蝕刻機(jī)的部件,

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  因產(chǎn)品配置不同，價(jià)格貨期需要電議，圖片僅供參考，一切以實(shí)際成交合同為準(zhǔn)。HVA?高真空閘閥應(yīng)用于 OLED 鍍膜機(jī)OLED 鍍膜機(jī)主要面向半導(dǎo)體照明客戶, 需要鍍膜機(jī)性能穩(wěn)定, 器件效率高, *,HVA?高真空閘閥應(yīng)用一般科研用鍍膜機(jī)的基片尺寸在 4”和6”大小, 本底真空度要求達(dá)到 5*10-7mbar 或 5*10-8mbar, 這時(shí)需要配置分子泵系統(tǒng)或低溫泵

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