美國(guó) HVA 真空閥門中國(guó)總代理

時(shí)間：2024-01-11作者：伯東企業(yè)（上海）有限公司瀏覽：17

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  詞條說明

• HVA 真空閥門應(yīng)用于E-Beam鍍膜機(jī)

  某?Sputtering + E-Beam PVD?鍍膜機(jī)系統(tǒng)采用?HVA?真空閥門?11000, HVA?真空閥門安裝在分子泵口便于泵的檢修,同時(shí)外系統(tǒng)停機(jī)時(shí)不破壞系統(tǒng)真空,?只要對(duì)泵內(nèi)部進(jìn)行破真空即可.HVA?不銹鋼真空閘閥?11000?系列標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)規(guī)格:??閥門材質(zhì):&nb

• HVA 高真空閘閥應(yīng)用于 OLED 鍍膜機(jī)

  因產(chǎn)品配置不同，價(jià)格貨期需要電議，圖片僅供參考，一切以實(shí)際成交合同為準(zhǔn)。HVA?高真空閘閥應(yīng)用于 OLED 鍍膜機(jī)OLED 鍍膜機(jī)主要面向半導(dǎo)體照明客戶, 需要鍍膜機(jī)性能穩(wěn)定, 器件效率高, *,HVA?高真空閘閥應(yīng)用一般科研用鍍膜機(jī)的基片尺寸在 4”和6”大小, 本底真空度要求達(dá)到 5*10-7mbar 或 5*10-8mbar, 這時(shí)需要配置分子泵系統(tǒng)或低溫泵

• 美國(guó) KRi 霍爾離子源輔助鍍膜 IBAD 應(yīng)用

  上海伯東美國(guó)?KRi 霍爾離子源?EH 系列, 提供高電流低能量寬束型離子束, KRi?霍爾離子源可以以納米精度來處理薄膜及表面, 多種型號(hào)滿足科研及工業(yè), 半導(dǎo)體應(yīng)用.?霍爾離子源高電流提高鍍膜沉積速率, 低能量減少離子轟擊損傷表面, 寬束設(shè)計(jì)提高吞吐量和覆蓋沉積區(qū). 整體易操作, 易維護(hù), 安裝于各類真空設(shè)備中, 例如 e-beam 電子束鍍膜機(jī), lo

• HVA 真空閥門應(yīng)用于E-Beam 鍍膜機(jī)

  某品牌?Sputtering + E-Beam PVD?鍍膜機(jī)系統(tǒng)采用?HVA?真空閥門?11000, HVA?真空閥門安裝在分子泵口便于泵的檢修,同時(shí)外系統(tǒng)停機(jī)時(shí)不破壞系統(tǒng)真空,?只要對(duì)泵內(nèi)部進(jìn)行破真空即可.E-Beam?鍍膜機(jī)設(shè)備組成:?系統(tǒng)主要由蒸發(fā)室,?電子,?進(jìn)樣室