TI TMS320LF2406APZ 全新進(jìn)口原裝 芯片IC

時(shí)間：2021-08-23作者：深圳市南北行電子發(fā)展有限公司瀏覽：138

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  詞條說明

• 供應(yīng)STM32F072R8T6 LQFP48 ST單片機(jī)IC芯片 意法半導(dǎo)體MCU

  描述 STM32F072x8/xB微控制器采用了高性能，ARM?Cortex?-M032位RISC核心工作在高達(dá)48MHz的頻率，高速嵌入式存儲器(高達(dá)128k字節(jié)的閃存和16k字節(jié)的SRAM)，以及廣泛的增強(qiáng)外設(shè)和I/O。所有的設(shè)備都提供標(biāo)準(zhǔn)的設(shè)備。 通信接口（兩個(gè)I2C、兩個(gè)SPI/I2S、一個(gè)HDMICEC和4個(gè)USART）、一個(gè)USB全速設(shè)備（無晶體）、一個(gè)CAN、一個(gè)12位ADC、1個(gè)1

• PIC32MX330F064H-I/PT TQFP-64 處理控制器 MICROCHIP

  工作條件：2.3V至3.6V ?-40oC至+105oC（直流至80 MHz） ?-40oC至+85oC（直流至100 MHz） ?0oC至+70oC（直流至120 MHz） 核心：120 MHz/150 DMIPS MIPS32?M4K? ?MIPS16e?模式，最大可減少40%的代碼大小 ?代碼高效（C和匯編）體系結(jié)構(gòu) ?單循環(huán)（MAC）32x16和雙循環(huán)32x32乘法 時(shí)鐘管理 ?0.9%內(nèi)

• BSP250 貼片SOT-223 MOS場效應(yīng)管 30V

  BSP250 P通道增強(qiáng)模式垂直D-MOS晶體管 具有高速開關(guān)，無二次故障，非常低的電阻。應(yīng)用于低損耗電機(jī)和執(zhí)行器驅(qū)動器的電源開關(guān)。 描述SOT223塑料SMD封裝中的P通道增強(qiáng)模式垂直D-MOS晶體管。 根據(jù)絕對最大額定系統(tǒng)（IEC134）。 注1。脈沖寬度和占空比受最大結(jié)溫度的限制。 2.裝置安裝在環(huán)氧樹脂印刷電路板上，40×40×1.5mm；排水管的安裝墊至少6cm2。符號參數(shù)條件為最小值。

• AP3407KTR-G1 DC-DC降壓芯片 絲印GJA SOT23-5

  一般說明 AP3407/A是一個(gè)1.4MHz的固定頻率、電流模式、PWM同步降壓（降壓）直流-直流轉(zhuǎn)換器，能夠驅(qū)動1.2A的負(fù)載，高效、線路優(yōu)良和負(fù)載調(diào)節(jié)。該設(shè)備集成了同步p通道和n通道MOSFET電源開關(guān)與低電阻。它是理想的供電，從單一的鋰離子電池的便攜式設(shè)備。 一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)系列的電感器可從幾個(gè)不同的制造商優(yōu)化使用的AP3407/A。這一特性大大簡化了開關(guān)模式電源的設(shè)計(jì)。 AP3407/A有SOT