STN442D

時間：2021-02-25作者：司坦森集成電路（深圳）有限公司瀏覽：670

司坦森集成電路（深圳）有限公司專注于司坦森集成電路（深圳）有限公司等

• 詞條

  詞條說明

• STC4614

  STC4614是N和P溝道采用高密度增強(qiáng)型功率場效應(yīng)晶體管DMOS器件溝道技術(shù)。這種高密度的過程，特別是量身定制，以盡量減少對狀態(tài)的阻力并提供優(yōu)越的開關(guān)性能。該裝置特別適合于低電壓應(yīng)用如筆記本電腦電源管理和其他電池供電電路，在高側(cè)開關(guān)，低的在線功率損耗和電阻瞬態(tài)是必要的特征N溝道40V／10.0A，RDS（ON）=?25mΩ（典型值）@?VGS?=?10V4

• ST25N10 TO-252 N100V 12A 臺灣STANSON/司坦森

  描述st25n10是N溝道增強(qiáng)型功率場效應(yīng)晶體管邏輯它是利用高密度，DMOS器件溝道技術(shù)。有了st16n10特別設(shè)計，以提高直流/直流轉(zhuǎn)換器的整體效率無論是同步或傳統(tǒng)的開關(guān)型脈寬調(diào)制控制器。它已被優(yōu)化低柵較電荷，低的RDS(on)和快速開關(guān)速度。特征100V/12.0A，RDS(ON)= 40mΩ@ VGS = 10V100V/10.0A，RDS(ON)= 45mΩ@ VGS = 4.5V**高密度

• STANSON原廠STP4407 參數(shù)P30V 10A

  STP4407可替代APM4315K、AO4407、AO4335、Si4435DDY、產(chǎn)品說明STP4407是P通道邏輯增強(qiáng)型功率場效應(yīng)晶體管采用高密度DMOS溝槽技術(shù)生產(chǎn)。這種高密度工藝特別適合于小化導(dǎo)通電阻。這些設(shè)備特別適合低電壓應(yīng)用，如蜂窩電話和筆記本電腦電源管理和其他電池供電高壓側(cè)開關(guān)電路。產(chǎn)品參數(shù)：-30V/-10A，RDS(開)=15mΩ@VGS=-10V-30V/-6.0A，RDS(

• STN442D

  司坦森場效應(yīng)管原廠STN442D?TO-252?參數(shù)**0V?37A?24mΩ用于按摩器STN442D可替代型號STN442D替代AOD4130、2SK3416、AOD442、描述場效應(yīng)管STN442D使用溝槽技術(shù)，提供優(yōu)良的RDS（ON）和柵較電荷。這些設(shè)備是適合作為負(fù)載開關(guān)或在應(yīng)用程序使用。特征60V?/?20.0a，RDS（上）=&