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二極管模塊怎么選型?1、快恢復二極管模塊快恢復二極管是一種能快速從通態(tài)轉(zhuǎn)變到關(guān)態(tài)的特殊晶體器件。導通時相當于開關(guān)閉合(電路接通),截止時相當于開關(guān)打開(電路切斷)。特性是開關(guān)速度快,快恢復二極管能夠在導通和截止之間快速轉(zhuǎn)化提高器件的使用頻率和改善波形??旎謴投O管模塊分400V快恢復二極管模塊,600V快恢復二極管模塊,1200V快恢復二極管模塊等。2、肖特基二極管模塊肖特基二極管A為正極,以N型
熔斷絲便是熔斷器的通稱,這也是大家日常生活之中一種非常簡單的防護家用電器。在配電變壓器高、低電壓側(cè)都配有熔斷器做為過流保護,這也是為了避免短路容量對變電器的危害。此外,各種各樣能源和照明燈具設(shè)備也經(jīng)常選用熔斷器作短路故障問題或持續(xù)過負載的保護設(shè)備。 熔斷器關(guān)鍵由熔體、機殼和橡膠支座3一部分構(gòu)成,在其中熔體是操縱熔斷特性的重要元器件。熔體的原材料、規(guī)格和樣子決策了熔斷特性。熔體原材料分成低溶點和高
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙較型晶體管,是由BJT(雙較型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)
1. 可控硅的特性。 可控硅分單向可控硅、雙向可控硅。單向可控硅有陽極A、陰極K、控制較G三個引出腳。雙向可控硅有**陽極A1(T1),*二陽極A2(T2)、控制較G三個引出腳。 只有當單向可控硅陽極A與陰極K之間加有正向電壓,同時控制較G與陰極間加上所需的正向觸發(fā)電壓時,方可被觸發(fā)導通。此時A、K間呈低阻導通狀態(tài),陽極A與陰極K間壓降約1V。單向可控硅導通后,控制器G即使失去觸發(fā)電壓,只要陽極A
公司名: 昆山奇沃電子有限公司
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手 機: 18962647678
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地 址: 江蘇蘇州昆山市昆山市玉山鎮(zhèn)富士康路932號
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