國芯思辰｜對標(biāo)C4D40120D，1200V SiC肖特基二極管B2D40120HC1讓車載充電機(jī)更高效

時(shí)間：2022-12-08作者：國芯思辰（深圳）科技有限公司瀏覽：259

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• 國芯思辰｜拍字節(jié)鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器PB85RS128C替代FM25V01-G用于汽車尾門控制器，待機(jī)電流最大值為10μA

  在諸多工業(yè)、汽車等對產(chǎn)品可靠性有高要求的應(yīng)用場景中，如BMS，會(huì)使用存儲(chǔ)器來儲(chǔ)存系統(tǒng)中的重要信息，這得益于存儲(chǔ)器本身的特性，數(shù)據(jù)保存期限久、耐久性出色、擦寫次數(shù)高。FRAM在眾多存儲(chǔ)產(chǎn)品中脫穎而出，越是對使用有限制、有要求的場景，就越會(huì)使用FRAM來存儲(chǔ)系統(tǒng)中的重要信息，在一汽車尾門控制器中，就有使用拍字節(jié)的PB85RS128C，本文將詳細(xì)介紹相關(guān)參數(shù)及應(yīng)用。PB85RS128C是一種標(biāo)準(zhǔn)的FRA

• 國芯思辰｜優(yōu)晶N溝道MOSFET YC40N04BDE?用于PCR儀TEC控制，滿足項(xiàng)目性能需求

  YC40N04BDE是優(yōu)晶的N溝道MOSFET，該芯片具有小尺寸、低壓大電流等特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用在DC/DC轉(zhuǎn)換、服務(wù)器的板載電源以及同步整流線路中。某工程師在PCR項(xiàng)目TEC控制部分需要用到4個(gè)N溝道場效應(yīng)管來控制TEC，該工程師想要了解一些國產(chǎn)廠牌的MOS，因此國芯思辰給其介紹了優(yōu)晶的N溝道場效應(yīng)管YC40N04BDE。YC40N04BDE具有以下特點(diǎn)：1、采用溝槽型功率中壓MOSFET技術(shù)，VD

• 國芯思辰｜國產(chǎn)16位ADC GAD7699用于PLC的壓力信號(hào)采集，含8個(gè)模擬輸入通道，性能兼容AD7699

  PLC指可編程邏輯控制器，可編程邏輯控制器是專門為在工業(yè)環(huán)境下應(yīng)用而設(shè)計(jì)的數(shù)字運(yùn)算操作電子系統(tǒng)，國芯思辰某工程師的PLC需要采集壓力信號(hào)，需要將壓力經(jīng)過ADC處理后，數(shù)據(jù)傳輸給MCU。具體結(jié)構(gòu)如圖所示：工程師的需求是：采集壓力傳感信號(hào)需要ADC，通道數(shù)8，分辨率不小于16bit。基于工程師的需求國芯思辰向客戶推薦了地芯科技的ADC GAD7699，使用該芯片的優(yōu)勢在于：1、單模擬電源供電VDD：4

• 國芯思辰｜基本半導(dǎo)體碳化硅MOS B1M032120HK替代C3M0032120K助力氫能源發(fā)電機(jī)，工作結(jié)溫-55~175℃

  氫能發(fā)電機(jī)特指以氫氣為原料的發(fā)電機(jī)，原理類似傳統(tǒng)內(nèi)燃機(jī)，經(jīng)過吸氣、壓縮、爆炸、排氣過程，帶動(dòng)電機(jī)產(chǎn)生電流輸出。氫能發(fā)電機(jī)是一種環(huán)保型的發(fā)電設(shè)備，具有無噪音、零排放和移動(dòng)性強(qiáng)的特點(diǎn)。其效率要求也非常高，但傳統(tǒng)的功率MOS已經(jīng)很難滿足發(fā)電機(jī)高開關(guān)頻率的要求，而碳化硅MOS則可以很好的滿足這一應(yīng)用。某氫能發(fā)電機(jī)項(xiàng)目現(xiàn)需要一漏源電壓1200V，電流80A以上的碳化硅MOS?？刹捎没景雽?dǎo)體的B1M0321