細(xì)說MOS管（二）

時間：2020-03-24作者：司坦森集成電路（深圳）有限公司瀏覽：473

司坦森集成電路（深圳）有限公司專注于STP6621,STN4438等

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  詞條說明

• STN454D TO-252 N40V 10A 規(guī)格書 中文資料PDF

  ??溝槽式場效電晶體 Trench_MOSFET ( TO-251/TO-252)Part No.TYPEVDSSVGSVTHIDSRDS(Max)PDPackageData SheetMinMax25°C10V4.5V2.5V1.8V5.0V25°CVVVVAm Ωm Ωm Ωm Ωm ΩWSTN454DN402013102530---50TO-252BitmapST9435A替代Si

• 企業(yè)文化

  STANSON技術(shù)形成于1981年，業(yè)務(wù)集中于出口當(dāng)時的半導(dǎo)體設(shè)備和零件。此后，她逐漸轉(zhuǎn)型為材料和零部件銷售。 1996年，由于市場需求，司坦森科技在閩臺成立子公司，設(shè)計/開發(fā)半導(dǎo)體器件，如電晶體、莫斯菲特、二極管及IC設(shè)計。 為了進(jìn)一步加強(qiáng)對中國客戶的支持，司坦森科技在閩臺和深圳設(shè)立了銷售辦事處。 司坦森提供各種規(guī)格的寬產(chǎn)品線的總電源解決方案。這包括監(jiān)管者， 如液晶顯示器/電視、dsc、磁盤陣

• 臺灣STANSON 專注MOS 13年STC4614 STP413D 原廠交貨快

  STC4614可替代其它：STC4616替代AO4611、Si4567、AO4614A、UD606、UTM4052、UD4614、Si4599DY、Si4564DY、SN4066CSK、STC4614產(chǎn)品介紹STC4614是N和P溝道采用高密度增強(qiáng)型功率場效應(yīng)晶體管DMOS器件溝道技術(shù)。這種高密度的過程，特別是量身定制，以盡量減少對狀態(tài)的阻力并提供優(yōu)越的開關(guān)性能。該裝置特別適合于低電壓應(yīng)用如筆記本

• STANSON STC6614 可替代Si4559A SM6041SCK NCE603S

  STC6614替代Si4559ADY、SM6041SCK描述stc6614是N和P溝道采用高密度增強(qiáng)型功率場效應(yīng)晶體管DMOS器件溝道技術(shù)。這種高密度的過程，特別是量身定制，以盡量減少對狀態(tài)的阻力并提供優(yōu)越的開關(guān)性能。該裝置特別適合于低電壓應(yīng)用如筆記本電腦電源管理和其他電池供電電路，在高側(cè)開關(guān)，低的在線功率損耗和電阻瞬態(tài)是必要的。特征N溝道60V /幅，RDS（ON）= 35mΩ（典型值）@ VG