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詞條說明
5V1.2A小功率適配器芯片方案采用是原邊反饋電源芯片PN8366,可省略光耦和TL431。內(nèi)置高壓啟動電路,可實現(xiàn)芯片空載損耗(230VAC)小于30mW,是一種高性能的源邊反饋(PSR)和單片開關(guān)電源控制器,專為具有電流模式控制的小型電源設(shè)備設(shè)計,PN8366集成**低待機功耗準(zhǔn)諧振原邊控制器及高雪崩能力智能功率MOSFET,驪微電子用于高性能、外圍元器件精簡的充電器、適配器和內(nèi)置電源,較大限度
小功率電源適配器ic PN8366M集成**低待機功耗準(zhǔn)諧振原邊控制器及高雪崩能力智能功率MOSFET(PN8366M 700V,PN8366H 800V),驪微電子提供的小功率電源適配器芯片PN8366M為原邊反饋工作模式,可省略光耦和TL431。用于高性能、外圍元器件精簡的充電器、適配器和內(nèi)置電源。?PN8366M小功率電源適配器ic六級能效5V/1.2A適配器應(yīng)用方案:■ 輸出規(guī)格5
低功耗開關(guān)電源芯片5v開關(guān)電源ic 選擇開關(guān)電源ic不僅僅要考慮滿足電路性能的要求及可靠性,還要考慮它的體積、重量、延長電池壽命及成本等問題。 ? 驪微電子在5V開關(guān)電源ic方案上推薦典型的**低待機功耗準(zhǔn)諧振原邊反饋交直流轉(zhuǎn)換器制IC,例如:開關(guān)電源芯片PN8368。 ? PN8368 低功耗開關(guān)電源芯片集成**低待機功耗準(zhǔn)諧振原邊控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET
PN8386產(chǎn)品描述:PN8386集成**低待機功耗準(zhǔn)諧振原邊控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外圍元器件精簡的充電器、適配器和內(nèi)置電源。PN8386為原邊反饋工作模式,可省略光耦和TL431。內(nèi)置高壓啟動電路,可實現(xiàn)芯片空載損耗(264VAC)小于50mW。在恒壓模式,采用準(zhǔn)諧振與多模式技術(shù)提高效率并消除音頻噪聲,使得系統(tǒng)滿足6級能效標(biāo)準(zhǔn),可調(diào)輸出線補償功能能使系統(tǒng)獲得較
公司名: 深圳市驪微電子科技有限公司
聯(lián)系人: 易善波
電 話: 13808858392
手 機: 13808858392
微 信: 13808858392
地 址: 廣東深圳寶安區(qū)恒豐工業(yè)城B11棟5樓東
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網(wǎng) 址: tangyinju.cn.b2b168.com
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