技術支持

時間：2018-11-15作者：司坦森集成電路（深圳）有限公司瀏覽：8

司坦森集成電路（深圳）有限公司專注于STP6621,STN4438等

• 詞條

  詞條說明

• STANSON 貼片MOS STN442D 規(guī)格書N60V 37A 應用于按摩椅主板 原廠直銷交貨快

  STN442D替代AOD4130、2SK3416、AOD442描述STN442D使用溝槽技術，提供優(yōu)良的RDS（ON）和柵較電荷。這些設備是適合作為負載開關或在應用程序使用。特征60V / 20.0a，RDS（上）= 24mΩ（典型值@ VGS = 10V60V / 20.0a，RDS（上）= 31mΩ@ VGS = 4.5V**高密度電池設計較低的RDS（on）特殊的阻力和較大直流電流能力TO-2

• STANSON STC6614 可替代Si4559A SM6041SCK NCE603S

  STC6614替代Si4559ADY、SM6041SCK描述stc6614是N和P溝道采用高密度增強型功率場效應晶體管DMOS器件溝道技術。這種高密度的過程，特別是量身定制，以盡量減少對狀態(tài)的阻力并提供優(yōu)越的開關性能。該裝置特別適合于低電壓應用如筆記本電腦電源管理和其他電池供電電路，在高側開關，低的在線功率損耗和電阻瞬態(tài)是必要的。特征N溝道60V /幅，RDS（ON）= 35mΩ（典型值）@ VG

• STANSON品牌STC6614 雙溝道NP60V 7A應用于風扇

  STC6614替代Si4559ADY、SM6041SCK產品描述STC6614是N和P溝道采用高密度增強型功率場效應晶體管DMOS器件溝道技術。這種高密度的過程，特別是量身定制，以盡量減少對狀態(tài)的阻力,并提供優(yōu)越的開關性能.該裝置特別適合于低電壓應用如筆記本電腦電源管理和其他電池供電電路，在高側開關，低的在線功率損耗和電阻瞬態(tài)是必要的。參數N溝道60V /10A，RDS（ON）= 35mΩ（典型值

• MOS管失效原因是什么？

  MOS管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導體（semiconductor）場效應晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator） —半導體。MOS管的source和drain是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數情況下，這個兩個區(qū)是一樣的，即使兩 端對調也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。目前在市場應用方面，排名**的是消費類電子電源適配器產