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國內(nèi)MEMS市場爆發(fā),帶動(dòng)MEMS振蕩器高速增長
當(dāng)前,孕育興起的新一輪科技革命和產(chǎn)業(yè)變革,正在加速重構(gòu)**分工體系和競爭格局,世界經(jīng)濟(jì)加速向以網(wǎng)絡(luò)信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)為重要內(nèi)容的經(jīng)濟(jì)活動(dòng)轉(zhuǎn)變。信息流**技術(shù)流、資金流、人才流,信息資源日益成為重要的生產(chǎn)要素和社會(huì)財(cái)富。企業(yè)圍繞數(shù)字競爭力的戰(zhàn)略布局全面升級,塑造企業(yè)長期發(fā)展新優(yōu)勢的競爭較為激烈。 MEMS是一項(xiàng)革命性的新技術(shù),廣泛應(yīng)用于**產(chǎn)業(yè),是一項(xiàng)關(guān)系到地區(qū)的科技發(fā)展、經(jīng)濟(jì)繁榮和*安全的關(guān)鍵技術(shù)
相信大家對晶體的壓電效應(yīng)還是有影響的,之前也發(fā)布類似的壓電效應(yīng)的文章,大家也可以去復(fù)習(xí)一下,對比壓電效應(yīng)和逆壓電效應(yīng)的兩者之間的不同,今天揚(yáng)興給說一下晶體的逆壓電效應(yīng),逆壓電效應(yīng)是指當(dāng)在電介質(zhì)的較化方向施加電場,這些電介質(zhì)就在一定方向上產(chǎn)生機(jī)械變形或機(jī)械壓力,當(dāng)外加電場撤去時(shí),這些變形或應(yīng)力也隨之消失。(相關(guān)閱讀可以查看YXC揚(yáng)興官網(wǎng)《晶振的壓電效應(yīng)》) 正壓電效應(yīng)原理圖 逆壓電效應(yīng)是指外界對晶體
石英晶體振蕩器分非溫度補(bǔ)償式晶體振蕩器、溫度補(bǔ)償晶體振蕩器(TCXO)、電壓控制晶體振蕩器(VCXO)、恒溫控制式晶體振蕩器(OCXO)和數(shù)字化/μp補(bǔ)償式晶體振蕩器(DCXO/MCXO)等幾種類型。其中,無溫度補(bǔ)償式晶體振蕩器是較簡單的一種,在日本工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)(JIS)中,稱其為標(biāo)準(zhǔn)封裝晶體振蕩器(SPXO)。簡要介紹一下石英晶振的結(jié)構(gòu)與工作原理。(詳情可以查看YXC揚(yáng)興官網(wǎng)《石英晶振發(fā)展過程》)
SiT9121是一種高度靈活、****、可編程差分振蕩器,支持LVPECL和LVDS輸出信號類型。該差分振蕩器覆蓋1至220MHz之間的任何頻率,具有0.6 ps的較佳RMS相位抖動(dòng)。與基于石英或SAW的傳統(tǒng)振蕩器不同,SiT9121可提供電壓(2.5V至3.3V),頻率穩(wěn)定性(±10,±20,±25和±50 PPM)和封裝(3225、5032、7050)選項(xiàng)。(關(guān)于sitime晶振的型號問題可以
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